Данные транзисторы произведены с использованием фирменной технологии ON Semiconductor Trench, специально разработанной для минимизации заряда затвора и достижения сверхнизкого значения сопротивления открытого канала.

Новые MOSFET-транзисторы подходят для приложений, в которых требуется обеспечить низкий заряд затвора для управления силовым ключом и его низкое сопротивление открытого канала. Примерами таких приложений могут служить схемы защиты аккумуляторов и устройства управления электродвигателем.

MOSFET-транзистор NDPL100N10B

Отличительные особенности:

  • Низкое сопротивление открытого канала
  • Низкий заряд затвора
  • Высокое быстродействие
  • Транзистор полностью прошел испытание на лавинный пробой
  • Конструкция прибора не содержит свинца и галоидных соединений (только модели NDBA100N10B и NDBA180N10B) и отвечает требованиям директивы RoHS

Преимущества:

  • Повышает КПД за счет снижения потерь проводимости
  • Упрощает схему управления затвором и имеет малое время открывания
  • Снижает динамическую мощность рассеяния
  • Гарантия стойкости к перегрузкам по напряжению
  • Бережное отношение к окружающей среде
Наименование VDS
(В)		 ID
(А)		 RDS(ON)
(мОм)		 Корпус
NDBA100N10B 100 100 6.9 D2PAK
NDBA180N10B 100 180 2.8 D2PAK
NDPL100N10B 100 100 7.2 TO-220
NDPL180N10B 100 180 3.0 TO-220

Область применения:

  • Защита аккумуляторов
  • Управление двигателями
  • Силовые ключи на первичной стороне преобразователей напряжения
  • Схемы синхронного выпрямления на вторичной стороне источника питания
  • Многоэлементные аккумуляторные ячейки (системы энергоснабжения, двухколёсные транспортные средства с электроприводом и мощные электроинструменты)
  • Источники питания

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку