Spansion: S404100xx — управляемая NAND FLASH-память Spansion 1B1 стандарта e.MMC
Автор: admin
17 Мар
Семейство микросхем управляемой NAND FLASH-памяти Spansion 1B1 стандарта e.MMC совместимо со спецификацией JEDEC e.MMC 4.51, а также с предыдущими версиями e.MMC.
Память поддерживает режим скорости передачи данных HS200 и имеет плотность хранения данных от 8 Гбайт до 16 Гбайт. Напряжение питания ядра (VCC) составляет 3.3 В, а линий ввода/выода (VCC) 1.8 В или 3.3 В. Устройства выпускаются в промышленно стандартных 153-выводных VFBGA (размером 11.5 x 13 мм, с шагом выводов 0.5 мм) и 100-выводных LBGA (размером 14 x 18 мм, с шагом выводов 1.0 мм) корпусах.
Управляемая NAND FLASH-память стандарта e.MMC компании Spansion ориентирована на применение во встраиваемых приложениях, требовательных к высокому качеству хранения и высокой плотности данных.
 |
Стандартная NAND FLASH vs e.MMC NAND FLASH |
Преимущества технологии e.MMC:
- Встроенный контроллер памяти
- Корпуса, соответствующие стандарту JEDEC
- Интерфейс, соответствующий стандарту JEDEC
- Более высокая эффективность операций записи/чтения
- Возможность конфигурации в качестве устройств с одноуровневыми (SLC) или многоуровневыми (MLC) ячейками памяти
Отличительные особенности:
- Полное соответствие спецификации e.MMC 4.51
- Обратная совместимость с предыдущими версиями спецификации e.MMC
- Объем памяти: 8 Гбайт или 16 Гбайт
- Доступные корпуса:
- 153-выводной VFBGA, размером 13 мм x 11.5 мм x 1.0 мм
- 100-выводной LBGA, размером 18 мм x 14 мм x 1.4 мм
- Диапазон рабочих температур:
- От -25°C до +85°C (встраиваемое исполнение)
- От -40°C до +85 °C (промышленное исполнение)
- Температура хранения: от -40 °C до +85 °C
- Напряжение питания:
- Линий ввода/вывода VCCQ: от 1.7 В до 1.95 В или от 2.7 до 3.6 В
- Ядра VCC: от 2.7 В до 3.6 В
- Ширина шины данных:
- В режиме одинарной скорости SDR: 1, 4 и 8 бит
- В режиме удвоенной скорости DDR: 4 и 8 бит
- В режиме HS200: 4 и 8 бит
- Тактовая частота: 52 МГц, 200 МГц (e.MMC 4.51)
- В режиме одинарной скорости: до 52 МГц
- В режиме удвоенной скорости: до 52 МГц
- В режиме HS200: до 200 МГц
Область применения:
- Встраиваемые приложения высокой надёжности и плотности хранения данных на основе NAND FLASH-памяти
- Промышленные контроллеры
- Промышленные ПК
- Сети телекоммуникаций
- Потребительская электроника класса High End
- Автомобильная электроника
Инструментальные средства:
-
Инструмент диагностики памяти (MDT)
- Плата DEV с пользовательским приложением
- Инструменты конфигурирования продукта
- Инструменты инженерной диагностики
-
Функциональные возможности MDT
- Информация об устройстве
- Конфигурация секторов
- Поддержка программаторов
- Сообщения о состоянии памяти
- Моделирование рабочих режимов
- Обновление встроенного программного кода
-
Оценочные платы в виде карты e.MMC
- Подключение к устройству чтения карт памяти с поддержкой стандарта e.MMC
- Поставляются с сокетами под корпуса BGA-153 и BGA-100
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Брошюра: Управляемая NAND FLASH-память e.MMC компании Spansion (англ.)
Подробнее о e.MMC NAND FLASH-памяти на сайте Spansion