STMicroelectronics: MDmesh V, PowerMOS – инновационная 650-вольтовая технология

Автор: admin

9 Дек

MDmesh V – инновационная 650-вольтовая технология, которая позволяет снизить потери в применениях, где требуется улучшение энергоэффективности. С её помощью разработчики получают возможность создания продукции, экономичность которой достигается за счет применения транзисторов с наименьшим отношением сопротивления открытого канала к размеру кристалла по сравнению с представленными в настоящее время на рынке аналогичными (т.е. такого же класса напряжения) силовыми MOSFET-транзисторами. Данная технология является наиболее эффективной на рынке. Она позволяет сэкономить энергию, которая обычно теряется в каскадах источников питания компьютеров, телевизоров, бытовой техники и другой похожей продукции. К числу других возможных сфер применения относятся возобновляемые источники энергии. Здесь появляется возможность сэкономить часть жизненно-важных ватт мощности, которые обычно теряются в силовых модулях преобразования напряжения, например, солнечных элементов.

Технология MDmesh V позволяет на 40% улучшить значение R_DS(ON) по сравнению с предыдущей технологией MDmesh II. Данная технология стала очередным значимым этапом совершенствования силовых коммутаторов. Она обеспечивает лучшее в мире значение R_DS(ON) (с напряжением пробоя 650В при 25°C) в корпусах TO-220, TO-220FP, I²PAK, D²PAK, DPAK, IPAK и TO-247. Быстрота коммутации и очень малые значения R_DS(ON) достигаются, благодаря свойственным технологии MDmesh V экономии энергии, более высокому быстродействию, высокой электрической эффективности, повышенной компактности и отличной плотности мощности.

В настоящий момент серийно выпускаются транзисторы STP42N65M5 с сопротивлением открытого канала 0.079 Ом (лучшее в мире максимальное значение R_DS(ON) среди других транзисторов в корпусе TO-220 с напряжением пробоя 600…650 В при температуре 25°C) и на максимальный ток 33А, а также STx16N65M5 с сопротивлением 0.0299 Ом и на максимальный ток 12А.

Отличительные особенности