Семейство транзисторов STripFET F7 уменьшает количество параллельно включаемых компонентов для достижения необходимой силы тока нагрузки за счёт более низкого сопротивления открытого канала, относительно площади кристалла.

Семейство низковольтных MOSFET-транзисторов STripFET F7 от компании ST обладает улучшенной структурой канал-затвор, позволяющей снизить сопротивление открытого канала, а также внутренние ёмкости и заряд затвора, что в свою очередь приводит к повышению быстродействия прибора и его КПД.

Превосходный показатель добротности (FOM) транзистора и высокая стойкость к лавинному пробою упрощают разработку устройств, уменьшают их размеры и стоимость, а также повышают надёжность конечных систем. Транзистор может использоваться в таких приложениях, как телекоммуникации, вычислительные системы, солнечные инверторы, устройства промышленной автоматики и автомобильные системы.

По сравнению с предыдущими семействами STripFET F4 и F3, в новой серии F7 удалось значительное снизить сопротивления открытого канала по отношению к площади кристалла. Это позволяет разработчикам использовать один транзистор вместо нескольких параллельно включённых приборов для получения необходимого тока нагрузки.

Внутренняя архитектура STx315N10F7

Отличительные особенности:

  • Транзистор разработан в соответствии с методикой AEC-Q101 для автомобильных приложений
  • Обладает самым низким на рынке сопротивлением открытого канала
  • Превосходное значение показателя добротности (Figure Of Merit)
  • Низкое отношение емкости обратной связи к входной ёмкости CRSS/CISS, которое формирует высокую стойкость к электромагнитным помехам
  • Высокая стойкость к лавинному пробою

Область применения:

  • Импульсные устройства автомобильного и промышленного назначения:
    • Схемы управления электродвигателем
    • Источники питания

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на STH315N10F7 (англ.)