N-канальные силовые MOSFET-транзисторы STH310N10F7 на основе технологии STripFET™ F7 имеют улучшенную структуру затвора с V-образной канавкой, которая позволяет значительно снизить сопротивление открытого канала и уменьшить внутреннюю емкость и заряд затвора, что способствует повышению быстродействия прибора и его КПД.

Силовой MOSFET транзистор STH310N10F7

Отличительные особенности:

  • Напряжение сток-исток VDS: 100 В (макс.)
  • Ток стока ID: 180 А (макс.)
  • Мощность рассеяния: 315 Вт
  • Самое низкое в отрасли сопротивление открытого канала RDS(ON): 1.9 мОм (тип.) / 2.3 мОм (макс.)
  • Превосходный показатель качества (FoM)
  • Низкое отношение емкости затвор-сток к входной емкости (затвор-исток) Crss/Ciss, гарантирующее высокую стойкость к электромагнитным помехам
  • Рабочая температура перехода TJ: от -55°C до +175°C
  • Корпуса: 2-выводной H2PAK-2 и 6-выводной H2PAK-6

Область применения:

  • Сильноточные схемы коммутации
  • Источники питания
  • Схемы управления электродвигателем

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на STH310N10F7 (англ.)