Новые 500-вольтовые силовые MOSFET-транзисторы компании Vishay-Siliconix характеризуются сопротивлением открытого канала 0.270 Ом и доступностью в корпусах TO-220, TO-220F и TO-247. Они могут служить более энергоэффективной заменой аналогичным транзисторам в разнообразных электронных системах.

Три новых транзистора компании Vishay в корпусах TO-220 (SiHP18N50C), TO-220F FULLPAK (SiHF18N50C) и TO-247 (SiHG20N50C) выполнены по n-канальной планарной полевой технологии поколения 6.2. Они отличаются малым сопротивлением открытого канала, что позволяет снизить потери проводимости и улучшить энергоэффективность во многих электронных системах. По сравнению с силовыми 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами предыдущего поколения, новые транзисторы характеризуются улучшенными характеристиками крутизны и обратного восстановления.

Наименование Корпус VDSS
(В)		 VGS
(±В)		 ID
(А)		 RDS(ON)
(Ω)		 QG
(нКл)		 RthJA
(°C/Вт)
SiHP18N50C TO-220 500 30 18 0.27 65 62
SiHF18N50C TO-220FP 500 30 18 0.27 65 65
SiHG20N50C TO-247 500 30 20 0.27 65 40

Отличительные особенности

  • Сочетание рабочего напряжения 500 Вольт с малым сопротивлением открытого канала 0.27 Ом при напряжении управления затвором 10 Вольт
  • Снижают потери проводимости и повышают энергоэффективность
  • Малый заряд затвора 65 нКл
  • Высокая надежность работы
  • 100% тестирование на лавинный пробой
  • Высокая разрешенная лавинная энергия одиночного импульса (EAS) или периодической нагрузки (EAR)
  • Пиковый ток 72 А / продолжительный ток 18А

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на SiHP18N50C, SiHF18N50C (англ.)

Документация на SiHG20N50C (англ.)

Брошюра: Мощные MOSFET-транзисторы на 500 Вольт компании Vishay (англ.)