Новый n-канальный силовой (600 В, 47А ) MOSFET-транзистор доступен в корпусе TO-247 и характеризуется очень малым сопротивлением открытого канала и улучшенным зарядом затвора. SiHG47N60S отличается самым лучшим в своем классе значением произведения заряда затвора на сопротивление открытого канала (показатель качества).

Транзистор идеально подходит для применения в схемах инверторов и полномостовых ШИМ-управляемых топологиях инверторов солнечных батарей и ветрогенераторов, телекоммуникационного и серверного оборудования, а также систем управления мощными электроприводами.

 

SiHG47N60S
Силовой n-канальный MOSFET-транзистор SiHG47N60S

 

Отличительные особенности

  • Наилучший в отрасли показатель качества (FOM): 15.12 Ом*нКл
  • Сверхнизкое сопротивление открытого канала: 0.07 Ом при напряжении затвора 10 В
  • Снижает потери на проводимость и сохраняет энергию
  • Выполнен по технологии Super Junction компании Vishay
  • Отвечает требованиям RoHS
  • 100% тестирован на лавинный пробой

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на SiHG47N60S (англ.)