Компания Vishay объявила о выпуске новой серии высоковольтных n-канальных MOSFET транзисторов с рабочим напряжением 600 В и 650 В, рассчитанных на широкий диапазон токов от 7 А до 77 А (в зависимости от типа транзистора), отличающихся ультранизким сопротивлением канала в открытом состоянии (от 36 мОм до 600 мОм при напряжении на затворе10 В).

Созданные на основе технологии Vishay следующего поколения Super Junction, представленные транзисторы серии E отличаются сверхнизким зарядом затвора и малым временем включения, что является основными показателями качества MOSFET транзисторов, используемых в преобразователях энергии. Благодаря использованию новой технологии, сопротивление транзисторов серии E в открытом состоянии уменьшено на 30% по сравнению с устройствами предыдущего поколения серии S. В зависимости от приложения, эти устройства способны обеспечить более высокую плотность мощности и достигать новых уровней эффективности. Благодаря малым входным емкостям новых устройств также снижены потери мощности в цепи управления затвором.

Транзисторы, рассчитанные на ток 22 А и 30 А, доступны в корпусах TO-220, TO-220 FullPAK, TO-247 и TO-263 (D2PAK). Кроме того, устройства, рассчитанные на ток 47 А с сопротивлением канала в открытом состоянии 64 мОм при напряжении на затворе 10 В доступны в корпусах TO-247, а устройства на ток 24 А и рабочее напряжение 650 В с сопротивлением канала в открытом состоянии 150 мОм доступны в корпусах TO-220, TO-263 (D2PAK) и TO-247.

Ультранизкое сопротивление в открытом состоянии транзисторов серии Е обеспечивает малые потери проводимости и переключения, позволяя экономить энергию в мощных, высокопроизводительных ключевых приложениях, включая корректоры коэффициента мощности, источники питания серверов и телекоммуникационных систем, сварочное оборудование, устройства плазменной резки, зарядные устройства, газоразрядные лампы высокой интенсивности, балласты флуоресцентных ламп, оборудование полупроводниковых производств, инверторы для солнечных батарей и индукционные печи.

Конструкция транзисторов позволяет выдерживать значительные импульсные перегрузки в лавинном и ключевом режимах что гарантируется 100% тестированием всех устройств на лавинный пробой.
В состав представленной серии высоковольтных транзисторов входят следующие устройства:

Наименование VDS
(В)		 ID
(А)		 RDS(ON)
при VGS=10В
(Ом)		 QG
нК		 PD
(Вт)		 Корпус
SIHB12N60E-GE3 650 12 0.38 58 147 D2PAK
TO-263
SiHF12N60E-GE3 33 TO-220 FULLPAK
SIHP12N60E-GE3 147 TO-220AB
SIHB15N60E-GE3 15 0.28 76 180 D2PAK
TO-263
SiHF15N60E-GE3 34 TO-220 FULLPAK
SIHP15N60E-GE3 180 TO-220AB
SiHB22N60E-GE3 21 0.18 86 227 D2PAK
TO-263
SiHF22N60E-GE3 35 TO-220 FULLPAK
SiHG22N60E-GE3 227 TO-247AC
SiHP22N60E-GE3 227 TO-220AB
SiHB24N65E-GE3 700 24 0.145 122 250 D2PAK
TO-263
SiHG24N65E-GE3 250 TO-247AC
SiHP24N65E-GE3 250 TO-220AB
SiHB30N60E-GE3 650 29 0.125 130 250 D2PAK
TO-263
SiHF30N60E-GE3 37 TO-220 FULLPAK
SiHG30N60E-GE3 250 TO-247AC
SiHP30N60E-GE3 250 TO-220AB
SiHG47N60E-GE3 47 0.064 220 357 TO-247AC
SiHG73N60E-GE3 73 0.039 362 520 TO-247AC

Отличительные особенности:

  • Высокий коэффициент качества (FOM), низкое значение RDS(ON) x QG
  • Малая входная емкость
  • Малые потери коммутации и проводимости
  • Сверхнизкий заряд затвора
  • Способны работать в лавинном режиме
  • Соответствуют требованиям директивы RoHS 2002/95/EC

Область применения:

  • Корректоры коэффициента мощности
  • Источники питания серверов и телекоммуникационных систем
  • Сварочное оборудование, устройства плазменной резки
  • Зарядные устройства
  • Газоразрядные лампы высокой интенсивности
  • Балласты флуоресцентных ламп
  • Инверторы для солнечных батарей
  • Индукционные печи

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку