Высокоэффективные MOSFET-транзисторы SiHx25N50E с напряжением сток-исток 500 В, выполненные на основе устройств второго поколения по технологии Суперперехода, являются дополнением к существующему семейству D с тем же напряжением сток-исток, созданных на базе высокопроизводительной планарной технологии.

Новые транзисторы поддерживают рабочий ток стока до 25 А и отличаются низким сопротивление открытого канала, равным 145 мОм. Они выпускаются в стандартных корпусах TO-220 (SiHP25N50E), TO-247AC (SiHG25N50E) и компактном, низкопрофильном TO-220 FULLPAK (SiHA25N50E).

Имея чрезвычайно малый заряд затвора QG и низкое сопротивления открытого канала RDS(ON), SiHx25N50E демонстрируют превосходный показатель добротности (FOM), определяемый как произведение QG на RDS(ON), что является ключевым параметром для MOSFET транзисторов, применяемых в преобразователях мощности. Как и в устройствах семейства E с напряжением сток-исток 600 В и 650 В, технология с низким сопротивлением открытого канала и высокой скоростью переключения, реализованная в новых 500-вольтовых транзисторах, способна повысить КПД и плотность мощности в схемах коррекции коэффициента мощности (PFC), двухтактных прямо- и обратноходовых преобразователях напряжения.

Транзисторы изготовлены в соответствии с требованиями директивы RoHS и способны выдерживать импульсные токи высокой энергии в режиме лавинного пробоя и в режиме переключения в гарантированных пределах, определяемых по методике UIS.

MOSFET-транзистор SiHA25N50 в корпусе TO-220 FULLPAK

Отличительные особенности:

  • Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
  • Максимальный продолжительный ток стока: 26 А
  • Высокая добротность (FOM): низкое значение произведения RDS(ON) x QG
  • Низкое значение входной ёмкости (Ciss ): 1980 пФ (тип.)
  • Низкое значение остаточного сопротивления открытого канала RDS(ON): 0.125 Ом (тип.)
  • Сниженный уровень потерь на проводимость и переключение
  • Очень низкое значение заряда затвора (Qg): 57 нКл (тип.)
  • Оценка величины энергии лавинного пробоя по методике UIS
  • Диапазон рабочих температур: от -55 °C до +150 °C

Область применения:

  • Схемы коммутации больших токов
  • Источники питания со схемой коррекции коэффициента мощности (PFC)
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Вычислительная техника
    • Блоки питания ATX для ПК
  • Освещение
    • Двухкаскадные светодиодные светильники

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на SiHA25N50E (англ.)

Документация на SiHG25N50E (англ.)

Документация на SiHP25N50E (англ.)