Прибор повышает эффективность и производительность схем коммутации за счет повышенной плотности мощности и выходного тока при минимальном количестве вносимых изменении. SiR626DP идеально подходит для приложений высокой выходной мощности: синхронных выпрямителей, систем с напряжением питания 24 В, схем управления двигателями, преобразователей постоянного напряжения и солнечных микроинверторов.

N-канальный MOSFET-транзистор SiR626DP

Отличительные особенности:

  • Превосходное соотношение остаточного сопротивления и проходной емкости COSS
  • Сниженное на 40% по сравнению с транзисторами предыдущего поколения остаточное сопротивление канала
  • Сниженные потери проводимости
  • Обладает тем же значением остаточного сопротивления при уменьшенных на 80% размерах корпуса по сравнению с приборами предыдущего поколения
  • Оптимизированные тепловые переходы внутри корпуса транзистора снижают общее тепловое сопротивление на 66%
  • Максимальная производительность, доступная для кремниевой технологии, которая обеспечивает низкие потери проводимости и рабочую температуру

Рабочие характеристики:

  • Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
  • Сопротивление открытого канала RDS(ON):
    • 1.7 мОм при VGS = 10 В
    • 2.0 мОм при VGS = 7.5 В
    • 2.6 мОм при VGS = 6 В
  • Заряд затвора QG: 52 нКл (тип.)
  • Максимальный ток стока ID: 100 А
  • Диапазон рабочих температур перехода TJ: от -55°С до +150°С
  • 8-выводной корпус PowerPAK® SO-8

Область применения:

  • Синхронные выпрямители
  • Системы с напряжением питания 24 В
  • Схемы управления электродвигателями
  • Преобразователи постоянного напряжения
  • Солнечные микроинверторы
  • Мощные инструменты и промышленное оборудование

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на SiR626DP (англ.)