Новые N-канальные силовые MOSFET-транзисторы от компании Vishay Siliconix с низким сопротивлением открытого канала 0.555 Ом, максимальным напряжением на стоке 500 В и улучшенным зарядом затвора 48 нКл
Компания Vishay представляет три новых силовых MOSFET-транзистора на 500 В с ультранизким сопротивлением открытого канала и улучшенным зарядом затвора в корпусах TO-220, TO-220 FULLPAK и D2PAK (TO-263).
Низкое сопротивление открытого канала 0.555 Ом в N-канальных силовых MOSFET-транзисторах SiHP12N50C-E3, SiHF12N50C-E3, and SiHB12N50C-E3 позволяют повысить энергосбережение за счет снижения потерь на проводимость при использовании в широком кругу применений. Также наряду с вышесказанным заслуживает внимания значение заряда затвора 48 нКл.
Ключевой параметр транзистора FOM (Figure Of Merit), используемый при применении в силовых преобразователях и учитывающий два основных параметра — сопротивление открытого канала и общий заряд затвора, имеет значение ниже 24 Ом-нКл. Новые N-канальные транзисторы изготавливаются с использованием Planar Cell технологии Vishay, которая позволяет снизить сопротивление открытого канала транзистора и создать транзисторы, способные выдерживать высокие импульсы энергии в лавинных и коммутационных режимах. В сравнении с MOSFET-транзисторами предыдущих поколений, SiHP12N50C-E3, SiHF12N50C-E3 и SiHB12N50C-E3 имеют улучшенные характеристики переключения и потерь.
Отличительные особенности
- Напряжение сток-исток 500 В
- Непрерывный ток нагрузки 12 А
- Низкое сопротивление открытого канала, равное 0.555 Ом при напряжении затвора 10 В, снижает потери на проводимость и энергии
- Улучшенный заряд затвора 48 нКл
- Произведение заряда затвора на сопротивление открытого канала не более 26.64 Ом*нКл
- Производится с использованием технологии планарных ячеек компании Vishay
- Отвечает требованиям директивы RoHS 2002/95/EC
- Тестирован на лавинный пробой
| Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology). |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на серию SiHP(B, F)12N50C (англ.)