ICL5101 интегрирует полумостовой контроллер с узлом корректора коэффициента мощности. Высокий уровень интеграции устройства позволяет минимизировать число внешних компонентов и уменьшить габариты конечного решения, что позволяет применять контроллер в компактных источниках питания для систем светодиодного освещения.

Узел коррекции коэффициента мощности может работать в двух режимах проводимости — прерывистом (DCM) и пограничном (CrCM), которые обеспечивают высокую стабильность схемы в условиях малой нагрузки вплоть до 0.1% от номинальной мощности. Полумостовой резонансный преобразователь, обычно выполненный по схеме с двумя индуктивностями и одной ёмкостью (LLC), формирует управляющие напряжения для верхнего и нижнего плеча силового каскада, построенного на двух дискретных MOSFET-транзисторах с напряжением сток-исток до 650 В. Для исключения режима сквозного тока через силовой каскад время паузы между открытым состоянием обоих ключей выбирается в диапазоне от 500 нс до 1.0 мкс. В качестве силовых транзисторов компания Infineon предлагает использовать приборы семейств CoolMOS™ P6, C6 и CE, которые отлично подходят для совместной работы с ICL5101.

Читать далее »

Новое поколение силовых MOSFET-транзисторов с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала

Компания Infineon расширяет семейство MOSFET-транзисторов OptiMOS™ 5 устройствами с рабочим напряжением сток-исток 80 В и 100 В.

Новейшее поколение MOSFET-транзисторов, оптимизированных для использования в преобразователях напряжения с высокими рабочими частотами, особенно в схемах с синхронным режимом выпрямления. Устройства подходят для применения в источниках питания систем телекоммуникаций и серверов, а также в промышленных приложениях, таких как солнечные инверторы, низковольтные драйверы и сетевые адаптеры.

Читать далее »

Светодиодные драйверы LITIX™ оптимизированы для управления светодиодами малой и средней мощности в автомобильных приложениях.

Семейство линейных источников постоянного тока включает в себя совместимые по выводам устройства с количеством каналов от 1 до 3 и типовым током нагрузки от 60 мА до 180 мА, которые обеспечивают высокую надёжность и стабильность свечения за счёт прецизионного управления током на светодиодах. Новые источники тока позволяют повысить надёжность решения благодаря уменьшению количества компонентов схемы, достичь высокого уровня её защиты, например, от импульсных помех, стандартизированных по ISO, и оптимизировать энергоэффективность системы.

Читать далее »

«Повышайте КПД. Повышайте плотность мощности! Снижайте стоимость». Звучит знакомо?

Неустанное стремление к инновациям и снижению стоимости продолжается. Но где же пункт назначения? Там, где технология изготовления новых дискретных IGBT-транзисторов TRENCHSTOP™ объединяется с новейшим 4-выводным корпусом TO-247 с кельвин-эмиттером. Этот тандем обеспечивает 20%-е снижение индуктивности выводов за счёт наличия четвёртого вывода датчика тока с эмиттера. Также данная конструкция уменьшает на 20% потери на переключение во всем диапазоне нагрузок.

Читать далее »

Компания Infineon расширяет семейство приемопередатчиков LIN интерфейса в автомобильном исполнении новыми устройствами в базовой конфигурации и с расширенными функциональными возможностями (high-end), доступными теперь в новом миниатюрном корпусе PG-TSON-8.

В зависимости от требований к автомобильному электронному блоку управления (ECU), разработчики могут выбирать приёмопередатчики не только по функциональным возможностям из базового или high-end класса, но и по типу корпуса — стандартный 8-выводной корпус PG-DSO или миниатюрный 8-выводной корпус PG-TSON. В то время как корпус PG-DSO-8 чаще используется в недорогих приложениях, PG-TSON-8 предназначен для применения в условиях ограниченных габаритов и высокой плотности монтажа печатной платы. Имея размеры 3.0 мм x 3.0 мм, новый корпус PG-TSON поддерживает автоматический оптический контроль (AOI) качества пайки.

Читать далее »

Линейный LDO-стабилизаторы напряжения TLS203B0 и TLS205B0 обеспечивают ток нагрузки 300 и 500 мА, соответственно.

Приборы служат идеальным выбором для устройств с аккумуляторным питанием, отличаясь чрезвычайно низким током потребления в активном режиме — 30 мкА (в отключённом состоянии это ток равен 0.1 мкА). Другой характерной чертой стабилизаторов является малый уровень выходного шума. При подключении внешнего проходного конденсатора ёмкостью 10 нФ, уровень выходного шума снижается до 24 мкВ (скз.) или 30 мкВ (скз.) в зависимости от модели. TLS203B0 и TLS205B0 демонстрируют стабильное поведение при работе с выходным конденсатором ёмкостью 3.3 мкФ. Керамические конденсаторы малых размеров могут использоваться без последовательно включённых резисторов, как это требуется в других схемах стабилизаторов.

Читать далее »

Новое поколение IGBT-транзисторов с высоким КПД и надёжностью для индукционных печей.

Новейшее поколение IGBT-транзисторов с обратной проводимостью от компании Infineon оптимизировано для соответствия требованиям, предъявляемым к индукционным печам. Среди моделй семейства RC-H5 разработчики смогут выбрать приборы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 1200 В и 1350 В, а также получить преимущества высокого КПД и надёжности без удорожания конечного продукта. Транзисторы с рабочим напряжением 1200 В и 1350 В предназначены для использования в однотактных схемах источников питания индукционных печей. Они обладают хорошим соотношением цена/производительность, результатом чего является общее снижение стоимости конечного продукта за счёт экономии средств на пассивных компонентах схемы.

Читать далее »

Самое низкое значение сопротивления открытого канала, высокая плотность мощности и КПД

Данные MOSFET-транзисторы являются низковольтными мощными приборами с сопротивлением открытого канала до 2 мОм, выпускаемыми в безвыводных корпусах TO и выводных корпусах TO-220.

Обладая улучшенной на 30% добротностью (Q_G x R_DS(ON)) и превосходными характеристиками переключения, данное семейство MOSFET-транзисторов обеспечивает высокую плотность мощности и КПД системы, особенно при использовании в легких транспортных средствах на электрической тяге, где требуется продолжительное время работы от аккумулятора, увеличение срока его службы и уменьшение времени его зарядки. Технология OptiMOS™ является наилучшим решением для миниатюризации систем, так как позволяет достичь высоких значений КПД при компактных размерах транзистора.

Читать далее »

Новые силовые MOSFET-транзисторы от компании Infineon с напряжением сток-исток 800 В, выполенные по технологии CoolMOS™ CE, специалльно разработаны для систем твердотельного освещения.

Благодаря низкому сопротивлению открытого канала R_DS(ON) транзисторы обеспечивают меньшие потери на проводимость и переключение, что позволяет повысить эффективность, уменьшить размеры, увеличить яркость и снизить тепловыделение системы светодиодного освещения. Выполненные на основе революционного техпроцесса Суперперехода (Superjunction), новые быстродействующие 800-вольтовые MOSFET-транзисторы серии CoolMOS™ CE компании Infineon отличаются превосходным соотношением цена/производительность и легкостью применения, обеспечивая конкурентное преимущество на быстрорастущем рынке светодиодных приборов освещения.

Читать далее »

Высокая линейность, лучшие шумовые характеристики и низкие гармонические искажения

Малошумящие усилители, в том числе четырёхканальные, для сетей LTE находят всё большее применение в различных приложениях.

Подобно тому, как скорость передачи данных между машинными интерфейсами была увеличена на 96 % за счёт уменьшения уровня шума, более высокое усиление и линейность позволили разработчикам благодаря снижению потерь и улучшению соотношения сигнал-шум добиться увеличения скорости передачи до 300 Мбит/с. По сравнению с системами без малошумящих усилителей, применение новых LNA-усилителей, с размерами корпуса на 70% меньшими (1.1 мм x 0.7 мм), чем у предыдущего поколения устройств, позволит увеличить чувствительность системы на 3.4 дБ. Кроме того, высокая линейность обеспечивает оптимальный уровень сигнала даже при плохо изолированной антенне. 

Читать далее »