Компания Infineon представляет три новых модели семейства сильноточных полумостовых драйверов электродвигателей.

Как и предыдущее семейство, новые устройства серии NovalithIC™ содержат полу-мостовой каскад, состоящий из P-канального транзистора верхнего плеча и N-канального транзистора нижнего плеча, и схему управления. Драйверы обладают низким сопротивлением открытого канала и рассчитаны на рабочее напряжение до 40 В (предыдущее семейство поддерживала работу при напряжении до 28 В). Наличие в верхнем плече P-канального транзистора исключает необходимость применять схему накачки заряда, благодаря чему минимизируются электромагнитные помехи. Встроенная схема управления обеспечивает сопряжение выходного каскада с микроконтроллером по логическим уровням, осуществляет диагностику в режиме обратной связи по току, регулировку скорости нарастания выходного напряжения, а также функции защиты от перегрева, пониженного напряжения питания и короткого замыкания.

Читать далее »

Новое семейство транзисторов CoolMOS™ C7 от компании Infineon является революционным шагом вперёд в технологии производства этих приборов, обеспечивая самое низкое в мире сопротивление открытого канала R_DS(ON), а благодаря низким потерям на переключение, повышенный КПД при любом уровне нагрузки.

Семейство транзисторов C7 оптимизировано для жестких режимов коммутации работы в таких схемах, как корректоры коэффициента мощности (CCM PFC), прямоходовые двухтактные преобразователи напряжения (TTF) и солнечные инверторы. Данные схемы могут являться составной частью устройств солнечной энергетики, серверов, телекоммуникационного оборудования и бесперебойных источников питания. Благодаря высокому значению пробивного напряжения сток-исток, равному 650 В, транзисторы имеют значительный запас надёжности при использовании в импульсных источниках питания и солнечных инверторах.

Читать далее »

Решение «все-в-одном» от компании Infineon для разработки беспроводного электроинструмента

Набор включает в себя транзисторы на основе технологии OptiMOS™ с напряжением сток-исток 40/60 В, схему управления EiceDRIVER™ и микроконтроллер XMC1302 на базе ядра Cortex-M0^TM.

Получите преимущества от использования инструментального набора для построения схемы управления электродвигателем мощностью 300 Вт посредством быстрого макетирования и тестирования, а также всесторонней технической поддержки. Завершенное системное решение для беспроводных электроинструментов позволяет разработать оптимизированную по размерам и стоимости схему с максимальной плотностью мощности и высокой энергоэффективностью. Системное решение компании Infenion на основе собственных MOSFET-транзисторов, драйверов и микроконтроллера позволит разработчикам снизить до 30% стоимости конечного продукта.

Читать далее »

Высокая эффективность при низких потерях на переключение и проводимости.

Новая технология производства IGBT-транзисторов TRENCHSTOP™ 5 от компании Infineon позволяет говорить о том, что данный класс приборов может иметь непревзойдённую производительность и высокий КПД в мощных импульсных устройствах. Транзисторы на основе этой технологии оптимально подходят для применения в схемах корректоров коэффициента мощности и ШИМ-преобразователях, которые в свою очередь используются в таких устройствах, как источники бесперебойного питания и инверторные сварочные аппараты.

Читать далее »

Высокоточный датчик тока TLI4970 разработан на основе запатентованной компанией Infineon технологии Холла.

Концепция применения индуктивностей без сердечника позволяет значительно уменьшить размеры изделия по сравнению с существующими продуктами. Данный датчик тока является полностью цифровым решением, он не нуждается во внешней калибровке и его просто использовать. Дополнительно прибор имеет отдельный интерфейсный вывод (OCD), на который выводится сигнал в случае превышения измеряемым током заранее установленного порога. Компактный корпус QFN, размером 7.0 х 7.0 мм, позволяет применять стандартные техпроцессы поверхностного монтажа.

Читать далее »

Новые MOSFET-транзисторы семейства OptiMOS™ в безвыводных корпусах от компании Infineon предназначены для использования в сильноточных устройствах и являются лучшим решением для систем управления высокой мощности. Безвыводной корпус TO отличается чрезвычайно компактными размерами, обеспечивает высокую эффективность и низкий уровень паразитного электромагнитного излучения.

Новые MOSFET-транзисторы в безвыводных корпусах поддерживают рабочий ток до 300 А и могут использоваться в таких устройствах, как электропогрузчики, лёгкие транспортные средства с электрическим приводом, электроинструменты, системы распределённого электропитания и телекоммуникационное оборудование. Современная кремниевая технология OptiMOS™ в сочетании с малым сопротивлением корпуса обеспечивают чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала R_DS(ON). Это даёт возможность использовать меньшее количество параллельно включенных транзисторов для получения заданной нагрузочной способности и увеличить плотность мощности в различных сильноточных приложениях.

Читать далее »

Компания Infineon Technologies представляет семейство радиочастотных переключателей на основе КМОП-технологии с монолитной подложкой для широкого спектра применений.

Радиочастотные ключи на основе КМОП-технологии с монолитной подложкой могут использоваться для работы с однополярными сигналами, распределяя их по многим линиям (например, ключи общего назначения, переключатели режимов и диапазонов и коммутаторы в различных антенных устройствах), с биполярными сигналами при распределении их по двум линиям (DPDT), а также в антенных модулях (ASM). Переключатели диапазонов с высокой линейностью и переключатели режимов необходимы в настоящее время для построения многорежимных и многодиапазонных схем, например, радиокаскадов мобильных телефонов, работающих в 16-ти и более диапазонах частот.

Читать далее »

Высокочастотные транзисторы компании Infineon обеспечивают наилучшие рабочие характеристики, высокую гибкость применения, превосходное соотношение цена/производительность и позволяют разработчикам сократить время разработки конечного решения.

BFx843 — это малошумящие широкополосные NPN биполярные высокочастотные транзисторы. Устройства интегрируют цепь обратной связи, обеспечивающую предварительное согласование входа и выхода с 50-омной нагрузкой и высокую стабильность в условиях паразитных частотных модуляций, что позволяет существенно упростить разработку произвольных схем малошумящих усилителей (LNA). Выполненные по зарекомендовавшей себя технологии SiGe:C гетеропереходных биполярных транзисторов, BFx843 поддерживают напряжение коллектор-эмиттер V_CEO до 2.25 В и ток коллектора I_C 55 мА. Транзисторы идеально подходят для применения в мобильных приложениях, где ключевым требованием является минимальный уровень энергопотребления. BFx843 оснащены схемой защиты от электростатических разрядов напряжением до 1500 В и чрезмерной мощности радиочастотного входного сигнала. Устройства доступны в промышленно стандартных корпусах SOT-343 и SOT-89, а также миниатюрном безвыводном TSLP-3-9, размером 1.0 мм х 0.6 мм 0.31 мм.

Читать далее »

Технология изготовления IGBT-транзисторов TRENCHSTOP™5 от компании Infineon меняет представление о понятии «лучший в своём классе устройств» и обеспечивает непревзойдённую эффективность в приложениях с жесткими условиями переключения.

Новое семейство IGBT-транзисторов является большим инновационным шагом навстречу будущим требованиям рынка к максимальной эффективности. Транзисторы оптимизированы для применения в схемах коррекции коэффициента мощности и ШИМ-преобразователях в таких приложениях, как инверторы солнечных панелей, источники бесперебойного питания, инверторы сварочных аппаратов и другие системы с жесткими условиями переключения.

Читать далее »

Быстрые диоды идеально сочетаются с транзисторами семейств CoolMOS™ и TRENCHSTOP™ 5

Компания Infineon впервые выходит на рынок высоковольтных сверхбыстрых диодов, предлагая приборы семейств Rapid 1 и Rapid 2 с обратным напряжением 650 В. Новое семейство Rapid является дополнением к ранее выпущенным компанией мощным диодам на напряжение 600/650 В, заполняя пробел между кремний-углеродными диодами и диодами, контролируемыми по эмиттеру.

Сочетая низкую стоимость и высокую эффективность, новые диоды предназначены для работы в устройствах с рабочими частотами от 18 до 100 кГц. Особенно хорошо они согласуются с транзисторами структур CoolMOS™ и TRENCHSTOP™ 5 в схемах корректоров коэффициента мощности (PFC). Семейство диодов Rapid будет представлено в двух версиях (Rapid1 и Rapid2) моделями с максимальным обратным напряжением 650 В, тогда как существующие устройства поддерживают обратное напряжение не более 600 В.

Читать далее »