Новое семейство оптосимисторов без схемы контроля перехода напряжения через ноль компании Vishay Intertechnology отличается высокой помехоустойчивостью (до 1.5 кВ/мкс), а также позволяет разработчикам экономить место на печатной плате благодаря использованию компактных корпусов SOP-4.

Представленные устройства являются электрическим эквивалентом компонентов VO305x в SMD корпусах DIP-6, обеспечивая при этом экономию до 66% площади печатной платы при монтаже. Наряду с выпуском новых моделей VOM160xT и VOM305xT в корпусах SOP-4, компания Vishay также продолжит поставки устройств серии VO305x в корпусах DIP-6

Читать далее »

Компания Vishay представила новую серию ограничительных диодов (TVS) TRANSZORB® SMA6x в корпусах для поверхностного монтажа SlimSMA™ DO-221AC. Устройства отличаются чрезвычайно низким профилем 0.95 мм, высокой пиковой рассеиваемой мощностью до 600 Вт при форме импульса 10/1000 мкс и 4 кВт при 8/20 мкс, а также превосходными характеристиками защелкивания.

Устройства серии SMA6F на 50% тоньше традиционных устройств в корпусах SMA, при этом они совместимы по посадочным местам на печатной плате и обладают на 50% большей пиковой рассеиваемой мощностью при форме импульса 10/1000 мкс. Кроме того, напряжение защелкивания у SMA6F на 3% .. 9% ниже, чем у существующих ограничительных диодов в корпусах SMB.

Читать далее »

Компания Vishay представила 12 новых выпрямительных диодов с барьером Шоттки с рабочим напряжением 45 В, изготовленных по вертикальной технологии TMBS® и доступных в корпусах трех вариантов исполнения: TO-220AC, ITO-220AC и TO-263AB. Устройства имеют широкий диапазон рабочих токов от 10 А до 40 А в зависимости от модели и предназначены для использования в ячейках солнечных батарей в качестве защитных шунтирующих диодов.

Устройства отличаются крайне малым прямым падением напряжения — типовое значение 0.51 В при прямом токе 20 А.

Читать далее »

Компания Vishay объявила о выпуске новой серии высоковольтных n-канальных MOSFET транзисторов с рабочим напряжением 600 В и 650 В, рассчитанных на широкий диапазон токов от 7 А до 77 А (в зависимости от типа транзистора), отличающихся ультранизким сопротивлением канала в открытом состоянии (от 36 мОм до 600 мОм при напряжении на затворе10 В).

Созданные на основе технологии Vishay следующего поколения Super Junction, представленные транзисторы серии E отличаются сверхнизким зарядом затвора и малым временем включения, что является основными показателями качества MOSFET транзисторов, используемых в преобразователях энергии. Благодаря использованию новой технологии, сопротивление транзисторов серии E в открытом состоянии уменьшено на 30% по сравнению с устройствами предыдущего поколения серии S. В зависимости от приложения, эти устройства способны обеспечить более высокую плотность мощности и достигать новых уровней эффективности. Благодаря малым входным емкостям новых устройств также снижены потери мощности в цепи управления затвором.

Читать далее »

Genesis представляют собой завершенные интегрированные модули однофазного инвертора для фотоэлектрических преобразователей энергии. Модули обеспечивают ток до 50 А при рабочем напряжении до 600 В и предназначены для построения преобразователей мощностью от 2.5 до 6 кВА, эксплуатируемых в жилых помещениях.

Genesis — новейший серийный проект в линейке EBVchips. Под брендом EBVchips компания EBV Elektronik самостоятельно создает электронные компоненты, разработанные совместно со своими клиентами для их собственных нужд! Вся продукция производиться на заводах поставщиков компании EBV и полностью отвечает специализированным требованиям заказчика, неудовлетворенного параметрами стандартных компонентов. Данный сервис позволил EBV стать первым в мире дистрибьютором полупроводников, предлагающим такие услуги. Под брендом EBVchips клиентам предлагаются конкурентные преимущества, поскольку теперь они получают именно те продукты и технологии, которые необходимы для конкретных приложений.

Читать далее »

CNY64ST и CNY65ST – первые высоковольтные оптические изоляторы категории IV, доступные в корпусах для поверхностного монтажа, имеющие сертификат международного агентства регулирования безопасности VDE. Изделия имеют большую длину пути тока утечки и высокое испытательное напряжение изоляции. Предназначены для защиты работников и оборудования, используемого в высоковольтных средах, таких как солнечные электростанции и ветротурбинные энергетические сети.

Международной электротехнической комиссией (МЭК) определены стандарты защиты для четырех различных категорий электроустановок от I до IV. Категория IV отвечает самым строгим требованиям защиты, поскольку она включает в себя электрические соединения в потребительских сетях. Оптопары серии CNY6x категории IV обеспечивают защиту оборудования и людей от повреждения или ранения при воздействии одиночного импульса высокого напряжения до 12000 В и повторяющегося пикового напряжения до 1450 В, позволяя при этом осуществлять передачу данных с высоковольтной стороны оборудования на низковольтную сторону для мониторинга.

Читать далее »

Поддерживает работу на частотах свыше 1 МГц

SiC779CD — интегральное решение на основе технологии DrMOS (Driver-MOSFET), объединившее ШИМ-оптимизированную схему n-канальных полевых транзисторов верхнего и нижнего плечей, полнофункциональный драйвер MOSFET-транзисторов и ограничительный диод в одном низкопрофильном, термостойком 40-выводном корпусе PowerPAK® MLP, размером 6 х 6 мм. Полностью отвечающая требованиям спецификации DrMOS 4.0, новая ИС SiC779CD обеспечивает частоту коммутации свыше 1 МГц и эффективность более 93%.

Передовая схема драйвера затвора, реализованная в SiC779CD, принимает сигнал от контроллера стабилизатора напряжения на единственный ШИМ-вход и преобразует его в сигналы управления затворами полевых транзисторов верхнего и нижнего плечей. 5-вольтовый ШИМ-вход устройства совместим со всеми контроллерами и оптимизирован для работы с контроллерами, оснащенными ШИМ-выходом с тремя состояниями.

Читать далее »

Новый инфракрасный светодиод с экстремально высокой интенсивностью излучения, равной 600 мВт/ср, высокой оптической мощностью 55 мВт и скоростью переключения 10 нс.

Технология поверхностного излучения, используемая в инфракрасном светодиоде VSLY5850 компании Vishay, реализована в уникальной конструкции кристалла, в котором весь свет, генерируемый внутри полупроводника, излучается через верхнюю поверхность кристалла. Эта технология позволяет значительно снизить боковое излучение 5-ти миллиметрового T1¾ корпуса устройства, обеспечивая узкий, точно направленный луч без боковых возмущающих эмиссий. Параболическая линза светодиода обеспечивает очень узкий угол половинной мощности излучения, равный ± 3°.

Читать далее »

LVB1560 и LVB2560 — новые однофазные мостовые выпрямители в корпусе GSIB-5S с однорядным расположением выводов, отличающиеся пониженным, по сравнению с предыдущим поколением устройств, падением входного напряжения — до 0.73 В при +125°C — и высокой стойкостью к прямым токам перегрузки.

Малое падение входного напряжения 15-амперных (LVB1560) и 25-амперных (LVB2560) однофазных мостовых выпрямителей позволяет снизить потери мощности и повысить энергоэффективность и экономичность импульсных источников питания, применяемых в энергоэффективных настольных компьютерах, серверах, телекоммуникационном оборудовании, потребительской электронике и бытовой технике — холодильники, стиральные машины, кондиционеры, индукционные электроплиты.

Читать далее »

SiP32411, SiP32413 и SiP32414 — одно- и двухканальные, 2-амперные коммутаторы нагрузки с рабочим напряжением 1.1…5.5 В, отличающиеся малым сопротивлением открытого канала при напряжении 1.2 В для высокой эффективности и управляемым, плавным нарастанием выходного напряжения, составляющим 150 мкс (тип.) для минимизации помех переключения.

Одноканальный SiP32411 и двухканальные SiP32413 и SiP32414 коммутаторы нагрузки оснащены функцией управляемого плавного нарастания выходного напряжения при включении (типовое время включения 150 мкс), ограничивающей пусковые токи и минимизирующей помехи переключения. Устройства, поддерживающие ток нагрузки до 2 А на канал, характеризуются высокой эффективностью благодаря низкому сопротивлению открытого канала, равному 66 мОм при входном напряжении 1.2 В (105 мОм для SiP32411 в корпусе SC70-6).

Читать далее »